中国极紫外光刻机

内容

shepherd17 · #1

resso · #2

duv，euv还远

shepherd17 · #3

resso 写了：昨天, 16:11
duv，euv还远

上面视频中讲的是 EUV - 极紫外。中国目前尚处于攻关阶段。

中国目前在 DUV -深紫外 -光刻领域的进展显著且已商业化。与 EUV 不同，中国的浸没式 DUV 光刻机已经进入量产与验证阶段，多家晶圆厂正在导入。中国已经实现 28 nm 级浸没式 DUV，自主设备正在验证 7 nm 多重曝光，并开始扩大产能，但在精度、产能与生态成熟度上仍落后 ASML。China’s DUV (Deep Ultraviolet) lithography progress is substantial and real, and unlike EUV, China now has domestic immersion DUV machines in production and testing, with multiple models entering fabs. China has achieved 28 nm-class immersion DUV, is validating 7 nm via multipatterning, and is scaling production capacity, but still trails ASML in throughput, overlay precision, and ecosystem maturity.

resso · #4

shepherd17 写了：昨天, 17:29
resso 写了：昨天, 16:11
duv，euv还远

上面视频中讲的是 EUV - 极紫外。中国目前尚处于攻关阶段。

中国目前在 DUV -深紫外 -光刻领域的进展显著且已商业化。与 EUV 不同，中国的浸没式 DUV 光刻机已经进入量产与验证阶段，多家晶圆厂正在导入。中国已经实现 28 nm 级浸没式 DUV，自主设备正在验证 7 nm 多重曝光，并开始扩大产能，但在精度、产能与生态成熟度上仍落后 ASML。China’s DUV (Deep Ultraviolet) lithography progress is substantial and real, and unlike EUV, China now has domestic immersion DUV machines in production and testing, with multiple models entering fabs. China has achieved 28 nm-class immersion DUV, is validating 7 nm via multipatterning, and is scaling production capacity, but still trails ASML in throughput, overlay precision, and ecosystem maturity.

高端DUV只是出了样机，还没真的商业化。euv不知道攻关多少年了

牛河梁 · #5

只要是华为的就不用看了

shepherd17 · #6

牛河梁写了：昨天, 18:19
只要是华为的就不用看了

中国 DUV（深紫外）光刻机进展

中国在 DUV（深紫外）光刻领域的进展 显著且已商业化。与 EUV 不同，中国的 浸没式 DUV 光刻机已经进入量产与验证阶段，多家晶圆厂正在导入。

中国已经实现 28 nm 级浸没式 DUV，自主设备正在验证 7 nm 多重曝光，并开始扩大产能，但在精度、产能与生态成熟度上仍落后 ASML。

1. 国产 28 nm 浸没式 DUV 已投入验证

中国主要光刻机厂商 SMEE（上海微电子） 已经：

在 2025 年底完成 28 nm ArF 浸没式 DUV 光刻机的交付与验证
设备在 中芯国际（SMIC） 进行生产线测试
性能大致相当于 ASML NXT:2000i，但体积更大、产能更低
早期 SSA800 系列已在 2023 年实现 65 nm 量产

这些设备可实现 28 nm 单次曝光，并通过多重图形化实现 7 nm / 5 nm。

2. 多重图形化实现 7 nm 与实验性 5 nm

在无法获得 EUV 的情况下，中国依靠 四重图形化（SAQP） 推进先进制程。

中芯国际的 7 nm（N+2）已在 2025 年实现 量产（约 5 万片/月）
良率：30–48%（台积电 EUV 约 80%+）
5 nm 工艺在 2025 年完成开发，但 成本极高（高出约 50%），良率约 33%

多重图形化的主要问题：

叠对误差累积
缺陷率上升
成本与周期显著增加

3. 国产 DUV 厂商快速扩张

除了 SMEE，中国的 DUV 生态正在形成多家供应商：

Aishengna（爱晟纳集团，国资背景，2023 成立）

2026 年计划生产 5 台浸没式 DUV
2027 年计划生产 20 台
团队来自 华为关联企业“雨量升”与 SMEE
设备处于 生产线验证阶段

雨量升（上海初创）

2025 年交付 3 台 DUV 进行测试
中芯国际正在测试其 28 nm 浸没式设备（代号 Mount Everest）
技术水平接近 ASML NXT:1950i（约 2008 年水平）

SiCarrier（思凯瑞）

开发基于 SAQP 的 5 nm 图形化技术
拥有多项先进多重图形化专利
主要瓶颈在叠对精度与良率

4. 国产 DUV 已开始量产部署

多方消息确认：

国产 193 nm 浸没式 DUV 光刻机已在 2026 年进入量产与部署阶段
已导入 中芯国际、华虹 的生产线
由 国家大基金三期（3440 亿元人民币） 强力支持

这是中国首次在 浸没式 DUV 上实现对 ASML 的 部分替代。

5. 与 ASML 的差距

中国的 DUV 光刻机仍落后 ASML：

产能（wph）：ASML 约 330 wph，中国未公开但明显更低
叠对精度：ASML 约 2.5 nm，中国显著偏高
光学质量：蔡司仍无可替代
可靠性与设备稳定性
光刻胶、薄膜、掩膜等生态成熟度

总体差距约 10–15 年。

中国 vs ASML DUV 对比表

项目	中国 DUV	ASML DUV
单次曝光节点	28 nm	28 nm
多重图形化节点	7 nm / 实验性 5 nm	7 nm / 5 nm
产能（wph）	较低	330 wph
叠对精度	较高误差	2.5 nm
年产量	2026 年 5 台，2027 年 20 台	年产约 130 台
成熟度	初期商业化	完全成熟

战略意义

中国已在 浸没式 DUV 上实现 自主可控
国产 DUV 支撑 28 nm、14 nm 扩产，并维持 7 nm 生产能力
多重图形化可实现 5 nm 研发，但经济性差
DUV 的成熟度远高于中国的 EUV（仍处于原型阶段）

China’s DUV (Deep Ultraviolet) lithography progress is substantial and real, and unlike EUV, China now has domestic immersion DUV machines in production and testing, with multiple models entering fabs.

China has achieved 28 nm-class immersion DUV, is validating 7 nm via multipatterning, and is scaling production capacity, but still trails ASML in throughput, overlay precision, and ecosystem maturity.

China’s DUV Progress — The Core Takeaways (2025–2026)

China now produces domestic 193 nm ArF immersion DUV machines, with five units planned for 2026 and ₂₀ units in 2027. These tools are being validated at SMIC, Hua Hong, and CXMT. Tom's Hardware

1. Domestic 28 nm Immersion DUV Is Operational

China’s main lithography developer SMEE (Shanghai Micro Electronics Equipment) has:

Operational 28 nm ArF immersion DUV tools in verification at SMIC fabs (late 2025). Tom's Hardware
Tools comparable to ASML NXT:2000i, but smaller and lower throughput.
Earlier SSA800 series reached 65 nm mass production in 2023. Tom's Hardware

These machines can print 28 nm in a single exposure and reach 7 nm / 5 nm via multipatterning. Tom's Hardware

2. Multipatterning Enables 7 nm and Experimental 5 nm

Blocked from EUV, China uses quadruple-patterning (SAQP) on DUV to reach advanced nodes.

SMIC’s 7 nm-class (N+2) chips are already in mass production (_50k wafers/month in 2025) using DUV multipatterning. Tom's Hardware
Yields: 30–48%, vs. TSMC’s 80%+ on EUV. Tom's Hardware
5 nm development completed in 2025, but economics are poor (costs up to 50% higher; yields ₃₃%). trendforce.com

Multipatterning works, but:

Overlay errors accumulate
Defect rates rise
Costs and cycle times increase sharply

3. New Domestic DUV Manufacturers Are Emerging

China’s DUV ecosystem is expanding beyond SMEE:

Aishengna Group (state-owned, founded 2023)

Producing five immersion DUV machines in 2026, 20 in 2027.
Integrated teams from Huawei-affiliated Yuliangsheng and SMEE.
Machines currently at production-line validation, not high-volume manufacturing. Tom's Hardware

Yuliangsheng (Shanghai startup)

Delivered three DUV machines for testing by late 2025.
SMIC testing a 28 nm immersion tool codenamed Mount Everest.
Design comparable to ASML NXT:1950i (2008-era). Tom's Hardware

SiCarrier

Developing SAQP-based DUV processes targeting 5 nm-class patterning.
Holds patents for advanced multipatterning.
Faces alignment/yield challenges. trendforce.com

4. China Has Begun Volume Production of Domestic DUV

Two independent reports confirm commercial deployment of domestic 193 nm immersion DUV machines:

Volume production and rollout of homegrown DUV tools began in 2026. techgolly.com
Integrated into SMIC and Hua Hong production lines.
Supported by Big Fund III (¥344 billion / $47.5 billion). techgolly.com

This marks the first time China has replaced ASML immersion DUV with domestic tools.

5. Technical Gaps vs. ASML

China’s DUV machines still lag in:

Throughput (ASML: 330 wafers/hour; China: undisclosed but lower) Tom's Hardware
Overlay precision (ASML: 2.5 nm; China: not disclosed, likely significantly higher error)
Optics quality (Zeiss still unmatched)
Reliability and uptime
Resist and pellicle ecosystem maturity

China’s machines are roughly 10–15 years behind ASML’s latest immersion tools. Tom's Hardware

Comparison Table — China vs. ASML DUV

Feature	China DUV	ASML DUV
Node (single exposure)	28 nm	28 nm
Node (multipatterning)	7 nm / experimental 5 nm	7 nm / 5 nm
Throughput	Lower (not disclosed)	330 wph
Overlay	Higher error	2.5 nm
Production volume	5 units (2026), 20 (2027)	₁₃₀ units/year
Maturity	Early commercial	Fully mature

Strategic Implications

China has broken dependence on ASML for immersion DUV.
Domestic DUV enables sustainable 28 nm and 14 nm expansion, and 7 nm continuity.
Multipatterning allows 5 nm R&D, but not competitive economics.
DUV progress is far ahead of China’s EUV, which remains prototype-level.

resso · #7

shepherd17 写了：昨天, 18:41
牛河梁写了：昨天, 18:19
只要是华为的就不用看了

中国 DUV（深紫外）光刻机进展

中国在 DUV（深紫外）光刻领域的进展 显著且已商业化。与 EUV 不同，中国的 浸没式 DUV 光刻机已经进入量产与验证阶段，多家晶圆厂正在导入。

中国已经实现 28 nm 级浸没式 DUV，自主设备正在验证 7 nm 多重曝光，并开始扩大产能，但在精度、产能与生态成熟度上仍落后 ASML。

1. 国产 28 nm 浸没式 DUV 已投入验证

中国主要光刻机厂商 SMEE（上海微电子） 已经：

在 2025 年底完成 28 nm ArF 浸没式 DUV 光刻机的交付与验证

设备在 中芯国际（SMIC） 进行生产线测试

性能大致相当于 ASML NXT:2000i，但体积更大、产能更低

早期 SSA800 系列已在 2023 年实现 65 nm 量产

这些设备可实现 28 nm 单次曝光，并通过多重图形化实现 7 nm / 5 nm。

2. 多重图形化实现 7 nm 与实验性 5 nm

在无法获得 EUV 的情况下，中国依靠 四重图形化（SAQP） 推进先进制程。

中芯国际的 7 nm（N+2）已在 2025 年实现 量产（约 5 万片/月）

良率：30–48%（台积电 EUV 约 80%+）

5 nm 工艺在 2025 年完成开发，但 成本极高（高出约 50%），良率约 33%

多重图形化的主要问题：

叠对误差累积

缺陷率上升

成本与周期显著增加

3. 国产 DUV 厂商快速扩张

除了 SMEE，中国的 DUV 生态正在形成多家供应商：

Aishengna（爱晟纳集团，国资背景，2023 成立）

2026 年计划生产 5 台浸没式 DUV

2027 年计划生产 20 台

团队来自 华为关联企业“雨量升”与 SMEE

设备处于 生产线验证阶段

雨量升（上海初创）

2025 年交付 3 台 DUV 进行测试

中芯国际正在测试其 28 nm 浸没式设备（代号 Mount Everest）

技术水平接近 ASML NXT:1950i（约 2008 年水平）

SiCarrier（思凯瑞）

开发基于 SAQP 的 5 nm 图形化技术

拥有多项先进多重图形化专利

主要瓶颈在叠对精度与良率

4. 国产 DUV 已开始量产部署

多方消息确认：

国产 193 nm 浸没式 DUV 光刻机已在 2026 年进入量产与部署阶段

已导入 中芯国际、华虹 的生产线

由 国家大基金三期（3440 亿元人民币） 强力支持

这是中国首次在 浸没式 DUV 上实现对 ASML 的 部分替代。

5. 与 ASML 的差距

中国的 DUV 光刻机仍落后 ASML：

产能（wph）：ASML 约 330 wph，中国未公开但明显更低

叠对精度：ASML 约 2.5 nm，中国显著偏高

光学质量：蔡司仍无可替代

可靠性与设备稳定性

光刻胶、薄膜、掩膜等生态成熟度

总体差距约 10–15 年。

中国 vs ASML DUV 对比表

项目 中国 DUV ASML DUV

单次曝光节点 28 nm 28 nm

多重图形化节点 7 nm / 实验性 5 nm 7 nm / 5 nm

产能（wph） 较低 330 wph

叠对精度 较高误差 2.5 nm

年产量 2026 年 5 台，2027 年 20 台年产约 130 台

成熟度 初期商业化完全成熟

战略意义

中国已在 浸没式 DUV 上实现 自主可控

国产 DUV 支撑 28 nm、14 nm 扩产，并维持 7 nm 生产能力

多重图形化可实现 5 nm 研发，但经济性差

DUV 的成熟度远高于中国的 EUV（仍处于原型阶段）

China’s DUV (Deep Ultraviolet) lithography progress is substantial and real, and unlike EUV, China now has domestic immersion DUV machines in production and testing, with multiple models entering fabs.

China has achieved 28 nm-class immersion DUV, is validating 7 nm via multipatterning, and is scaling production capacity, but still trails ASML in throughput, overlay precision, and ecosystem maturity.

China’s DUV Progress — The Core Takeaways (2025–2026)

China now produces domestic 193 nm ArF immersion DUV machines, with five units planned for 2026 and ₂₀ units in 2027. These tools are being validated at SMIC, Hua Hong, and CXMT. Tom's Hardware

1. Domestic 28 nm Immersion DUV Is Operational

China’s main lithography developer SMEE (Shanghai Micro Electronics Equipment) has:

Operational 28 nm ArF immersion DUV tools in verification at SMIC fabs (late 2025). Tom's Hardware

Tools comparable to ASML NXT:2000i, but smaller and lower throughput.

Earlier SSA800 series reached 65 nm mass production in 2023. Tom's Hardware

These machines can print 28 nm in a single exposure and reach 7 nm / 5 nm via multipatterning. Tom's Hardware

2. Multipatterning Enables 7 nm and Experimental 5 nm

Blocked from EUV, China uses quadruple-patterning (SAQP) on DUV to reach advanced nodes.

SMIC’s 7 nm-class (N+2) chips are already in mass production (_50k wafers/month in 2025) using DUV multipatterning. Tom's Hardware

Yields: 30–48%, vs. TSMC’s 80%+ on EUV. Tom's Hardware

5 nm development completed in 2025, but economics are poor (costs up to 50% higher; yields ₃₃%). trendforce.com

Multipatterning works, but:

Overlay errors accumulate

Defect rates rise

Costs and cycle times increase sharply

3. New Domestic DUV Manufacturers Are Emerging

China’s DUV ecosystem is expanding beyond SMEE:

Aishengna Group (state-owned, founded 2023)

Producing five immersion DUV machines in 2026, 20 in 2027.

Integrated teams from Huawei-affiliated Yuliangsheng and SMEE.

Machines currently at production-line validation, not high-volume manufacturing. Tom's Hardware

Yuliangsheng (Shanghai startup)

Delivered three DUV machines for testing by late 2025.

SMIC testing a 28 nm immersion tool codenamed Mount Everest.

Design comparable to ASML NXT:1950i (2008-era). Tom's Hardware

SiCarrier

Developing SAQP-based DUV processes targeting 5 nm-class patterning.

Holds patents for advanced multipatterning.

Faces alignment/yield challenges. trendforce.com

4. China Has Begun Volume Production of Domestic DUV

Two independent reports confirm commercial deployment of domestic 193 nm immersion DUV machines:

Volume production and rollout of homegrown DUV tools began in 2026. techgolly.com

Integrated into SMIC and Hua Hong production lines.

Supported by Big Fund III (¥344 billion / $47.5 billion). techgolly.com

This marks the first time China has replaced ASML immersion DUV with domestic tools.

5. Technical Gaps vs. ASML

China’s DUV machines still lag in:

Throughput (ASML: 330 wafers/hour; China: undisclosed but lower) Tom's Hardware

Overlay precision (ASML: 2.5 nm; China: not disclosed, likely significantly higher error)

Optics quality (Zeiss still unmatched)

Reliability and uptime

Resist and pellicle ecosystem maturity

China’s machines are roughly 10–15 years behind ASML’s latest immersion tools. Tom's Hardware

Comparison Table — China vs. ASML DUV

Feature China DUV ASML DUV

Node (single exposure) 28 nm 28 nm

Node (multipatterning) 7 nm / experimental 5 nm 7 nm / 5 nm

Throughput Lower (not disclosed) 330 wph

Overlay Higher error 2.5 nm

Production volume 5 units (2026), 20 (2027) ₁₃₀ units/year

Maturity Early commercial Fully mature

Strategic Implications

China has broken dependence on ASML for immersion DUV.

Domestic DUV enables sustainable 28 nm and 14 nm expansion, and 7 nm continuity.

Multipatterning allows 5 nm R&D, but not competitive economics.

DUV progress is far ahead of China’s EUV, which remains prototype-level.

28nm投入验证，这不就是我说的嘛，有个验证机

POSTREACT(ions) SUMMARY

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中国 DUV（深紫外）光刻机进展

1. 国产 28 nm 浸没式 DUV 已投入验证

2. 多重图形化实现 7 nm 与实验性 5 nm

3. 国产 DUV 厂商快速扩张

Aishengna（爱晟纳集团，国资背景，2023 成立）

雨量升（上海初创）

SiCarrier（思凯瑞）

4. 国产 DUV 已开始量产部署

5. 与 ASML 的差距

中国 vs ASML DUV 对比表

战略意义

China’s DUV Progress — The Core Takeaways (2025–2026)

1. Domestic 28 nm Immersion DUV Is Operational

2. Multipatterning Enables 7 nm and Experimental 5 nm

3. New Domestic DUV Manufacturers Are Emerging

Aishengna Group (state-owned, founded 2023)

Yuliangsheng (Shanghai startup)

SiCarrier

4. China Has Begun Volume Production of Domestic DUV

5. Technical Gaps vs. ASML

Comparison Table — China vs. ASML DUV

Strategic Implications

POSTREACT(ions) SUMMARY

中国 DUV（深紫外）光刻机进展

1. 国产 28 nm 浸没式 DUV 已投入验证

2. 多重图形化实现 7 nm 与实验性 5 nm

3. 国产 DUV 厂商快速扩张

Aishengna（爱晟纳集团，国资背景，2023 成立）

雨量升（上海初创）

SiCarrier（思凯瑞）

4. 国产 DUV 已开始量产部署

5. 与 ASML 的差距

中国 vs ASML DUV 对比表

战略意义

China’s DUV Progress — The Core Takeaways (2025–2026)

1. Domestic 28 nm Immersion DUV Is Operational

2. Multipatterning Enables 7 nm and Experimental 5 nm

3. New Domestic DUV Manufacturers Are Emerging

Aishengna Group (state-owned, founded 2023)

Yuliangsheng (Shanghai startup)

SiCarrier

4. China Has Begun Volume Production of Domestic DUV

5. Technical Gaps vs. ASML

Comparison Table — China vs. ASML DUV

Strategic Implications

POSTREACT(ions) SUMMARY

1. 国产 28 nm 浸没式 DUV 已投入验证

2. 多重图形化实现 7 nm 与实验性 5 nm

1. Domestic 28 nm Immersion DUV Is Operational

2. Multipatterning Enables 7 nm and Experimental 5 nm

1. 国产 28 nm 浸没式 DUV 已投入验证

2. 多重图形化实现 7 nm 与实验性 5 nm

1. Domestic 28 nm Immersion DUV Is Operational

2. Multipatterning Enables 7 nm and Experimental 5 nm