南韩三星电子一名前员工，在三星任职28年后跳槽中国长鑫存储，成为长鑫存储创始员工之一。他日前在首尔法院作证坦言，如今成为记忆体晶片全球市占率前5名的长鑫存储，自创始阶段就不打算研发自己的技术，而是要窃取三星的半导体技术。
南韩三大电视台之一「首尔广播系统」（SBS）、《每日经济》等媒体上周报导，这名全姓（Jeon）三星前员工8月11日在首尔中央地方法院出庭作证，案件涉及将三星专有的18奈米动态随机存取记忆体（DRAM）技术泄露给长鑫存储。
他更指出，长鑫存储创立时并无研发实验室等设施，完全无意以自身研究独立研发技术。
全某被控外泄的三星18奈米DRAM制程配方（PRP），记载了DRAM生产过程中600道制程与必要的设备条件。韩联社先前报导，三星耗时5年、投入1.6兆韩元,研发出这套技术，而全某当年带着这套制程，与三星其他员工一起离职，跳槽长鑫存储。
SBS报导，南韩检方自2024年1月起调查这桩泄密案，至2025年底结束调查，认定长鑫存储利用窃得的三星制程技术，于2023年成功量产10奈米DRAM晶片。
包括全某在内，共有10人因「泄露受国家保护的核心技术」遭起诉。
三星可向美国贸易法院提告
分析指出，若全某的证词获采纳，将为三星未来控告长鑫存储窃取商业机密提供更有力的证据。若长鑫存储制造的DRAM晶片，或含有长鑫存储晶片的产品在美销售，三星可将南韩犯罪调查与审判中取得的证据提交美国贸易法院（ITC）。
三星显示公司（Samsung Display）先前也曾针对中国的京东方（BOE）采取类似行动，指控京东方盗用OLED面板技术。美国贸易法院去年已裁定京东方侵害三星显示的商业机密，建议美国政府禁止进口京东方产品，期限14年8个月。
