从24nm到一nm
靠的是盖楼房,就是把集成电路垒成3d结构。很早以前intel已经不提几nm技术了,而是提晶体管密度。但是这个提法太技术,普通人接受不了。台积电就继续用几nm技术,其实不是晶体管做小了,而是楼房盖高以后,等效于几nm的晶体管。所以现在的技术瓶颈是到底能把楼盖多高
靠的是盖楼房,就是把集成电路垒成3d结构。很早以前intel已经不提几nm技术了,而是提晶体管密度。但是这个提法太技术,普通人接受不了。台积电就继续用几nm技术,其实不是晶体管做小了,而是楼房盖高以后,等效于几nm的晶体管。所以现在的技术瓶颈是到底能把楼盖多高
别几把胡扯蛋了
芯片3d化只存在于flash和 dram这两种芯片,但这两种芯片不叫几纳米。比如flash芯片人家就直接说是多少层的。
逻辑芯片都是平面化的,这里说的平面化是指主动器件(也就是晶体管),金属连线是分层的,但那个不叫3d化。你可以理解为超级pcb,pcb里也是好几层金属连线的。
几nm 指标 20年前 就跟具体的 器件尺寸无关了。 现在是指单位面积内晶体管的个数而已。
现在能把晶体管布置的更密集, 晶体管本身尺寸的缩小只是贡献了一部分,贡献大部分是晶体管间 尺寸的缩小
lol,你不能把我的话重复一遍装懂啊,你怎么把24nm的晶体管在平面上缩小到1nm啊,你好好想想
第一 你不懂什么叫3d芯片,现在的逻辑芯片没有3d的
第二 现在的几纳米芯片把 晶体管密度增加,根本不是你所说的什么把芯片3d化。 靠的是缩小晶体管本身的尺寸,和缩小晶体管之间的间隙,这两个途径达到的。这些都是还在同一层。
第三 未来的趋势是,晶体管密度的增加,光改进晶体管这一层的密度还不够。还需要提高m1层的密度,就是最细小的金属连线层那个密度。 所以都是什么背侧供电,就是把负责供电的金属连线从m1层拿出来,放到晶体管层下面去。
你根本不懂,我早出看来了。 少谈理工话题
你是不是把3d封装,跟3d芯片 混淆了? 3d封装 不是3d芯片,记住了。
你别装差了,晶体管尺寸根本缩小不到20nm一下,你不知道工科生都蠢的和猪一样,还要指点江山么
我没说晶体管尺寸缩小到20nm以下阿
我说的是 缩小晶体管尺寸,和缩小晶体管之间的间隙。
懂了吗?
现在的几纳米是个密度指标,并不是尺寸指标。
你是根本不懂 阿。
怎么缩小晶体管之间的间隙? 靠的是提高光刻机的overlay accuracy。 这就是同样波长的193nm光刻机之间 还分好几代原因。
不同代之间的对准精度 不一样的。
这就是我说工科生蠢的和猪一样的原因,你用你的common sense想一想,24nm的芯片,transistor就已经24nm左右宽了,你要transistor之间的间距有多大,才能有余力增加这么多倍的密度到1nm,如果24nm的时候,transistor间的间距那么大,那么傻逼呵呵的做24nm的transistor意义何在?
这个小姐姐的video讲的还挺好