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牛大春 写了： ↑10 4月 2025, 21:08

氮化镓材料的禁带宽度比碳化硅更高，电子漂移率更高，功率密度更高，能量转换效率更高。

氮化镓器件采用纵向设计后，估计就会全面超越第三代前期的碳化硅器件了。

不仅在民用的充电器、太阳能发电中（并网用）的逆变器、电动车的逆变器、DC-DC转换器上，在军用的高功率相控阵雷达、高功率定向能武器上，氮化镓器件都有广泛的应用。

筒子们，第四代氧化镓材料和器件正在赶往应用的路上。

氮化镓：GaN.
GaN就完了！哈哈。