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这玩意儿不需要量子阱。本质就是相分离之后会有大量In rich的纳米颗粒，这些纳米颗粒内部的线缺陷是很少的。电子的平均自由程比这些纳米颗粒的尺寸小就可以了。

dragonfly 写了： ↑11 5月 2025, 21:58

GaN的defect density在 10⁹/cm² 以上，而ZnSe在 10³-10⁴/cm² 左右，对搞材料的人来说，这么高的缺陷密度，理论上GaN laser或者LED几乎不可能实现， 所以很多实验室都把希望放在ZnSe based 的II-VI族半导体上，II-VI族是direct bandgap, 发光效率很高，缺陷又少， 用的基片是砷化镓便宜易得。但II-VI材料很“软”， 虽然初始缺陷少，但使用中会生长，laser和LED的寿命很低。奇怪的是，GaN 虽然缺陷密度是ZnSe的一百万倍，但使用中并不生长，缺陷不会穿过量子阱，影响量子阱的发光效率，这个是非常反直觉的， 物理造诣很深的人直接就毙掉这条路了。中村修二比较轴， 又有Nichia养着，锲而不舍的钻研，才有后来的成就。其实他一开始也是知其然而不知其所以然的。

你说的是QD LED吧。中村修二的蓝光LED是quantum well LED的，现在GaN LED仍然都是QW发光。

cozofxx 写了： ↑10 6月 2025, 22:58

这玩意儿不需要量子阱。本质就是相分离之后会有大量In rich的纳米颗粒，这些纳米颗粒内部的线缺陷是很少的。电子的平均自由程比这些纳米颗粒的尺寸小就可以了。

dragonfly 写了： ↑11 5月 2025, 21:58

GaN的defect density在 10⁹/cm² 以上，而ZnSe在 10³-10⁴/cm² 左右，对搞材料的人来说，这么高的缺陷密度，理论上GaN laser或者LED几乎不可能实现， 所以很多实验室都把希望放在ZnSe based 的II-VI族半导体上，II-VI族是direct bandgap, 发光效率很高，缺陷又少， 用的基片是砷化镓便宜易得。但II-VI材料很“软”， 虽然初始缺陷少，但使用中会生长，laser和LED的寿命很低。奇怪的是，GaN 虽然缺陷密度是ZnSe的一百万倍，但使用中并不生长，缺陷不会穿过量子阱，影响量子阱的发光效率，这个是非常反直觉的， 物理造诣很深的人直接就毙掉这条路了。中村修二比较轴， 又有Nichia养着，锲而不舍的钻研，才有后来的成就。其实他一开始也是知其然而不知其所以然的。

不是。今天常见的是cladding结构，中间层InGaN层不掺杂。但是Nakamura九十年代的时候，就是直接往GaN或者InGaN里面放Mg，再去除H，activate这些Mg，没那么复杂，但是这些结构通常稳定性不佳。Cladding结构是后来才优化出来的。这个也不是传统意义上的多层量子阱。量子阱是通常是多层结构，主要是用来做Laser diode。当然，最近十几年，大家爱吹牛，什么东西都喜欢加上个quantum来骗钱而已。

dragonfly 写了： ↑11 6月 2025, 17:41

你说的是QD LED吧。中村修二的蓝光LED是quantum well LED的，现在GaN LED仍然都是QW发光。

cozofxx 写了： ↑10 6月 2025, 22:58

这玩意儿不需要量子阱。本质就是相分离之后会有大量In rich的纳米颗粒，这些纳米颗粒内部的线缺陷是很少的。电子的平均自由程比这些纳米颗粒的尺寸小就可以了。