Re: 改变世界的蓝光LED
发表于 ： 10 5月 2025, 22:42
我就一个问题：
明明是Laser, 为什么只说LED?
我就一个问题：
明明是Laser, 为什么只说LED?
这俩发光原理不一样吧？
文中说：激光二极管。如果是单波长，应该叫激光。
我发现老有人故意叫激光为L E D。估计是想这样听上去不吓人。
Laser and LED difference:
哈，记得1990年代中期的一期IEEE Spectrum杂志，专文介绍蓝光LED的发明人。
Leuning 写了： 11 5月 2025, 00:06文中说：激光二极管。如果是单波长，应该叫激光。
我发现老有人故意叫激光为L E D。估计是想这样听上去不吓人。Laser and LED difference:
应该是作者搞串了。
今天在物理圈子里，很多人也对他的诺贝尔奖不屑一顾。当然，诺贝尔奖本身也没有啥意思，无非小圈子互相发奖罢了。蓝光LED本身的商业化成就就比诺贝尔奖重要不知道多少个数量级。
即便如此，物理圈子里，目前几乎也没人研究这玩意儿了。所以很多问题其实还是人的问题，蠢货扎堆，重要的事情就容易被忽视，古今中外都差不多。
shanghaibaba 写了： 08 2月 2024, 15:11这个老军版不是早说过么？老中要是搞出这么细微的东西，重要性也许都得不到承认。如果是老中搞出蓝光led，老将肯定argue，人家搞出led的都没拿奖，你个蓝光led还想拿奖？
GaN的defect density在 109/cm2 以上，而ZnSe在 103-104/cm2 左右，对搞材料的人来说，这么高的缺陷密度，理论上GaN laser或者LED几乎不可能实现， 所以很多实验室都把希望放在ZnSe based 的II-VI族半导体上，II-VI族是direct bandgap, 发光效率很高，缺陷又少， 用的基片是砷化镓便宜易得。但II-VI材料很“软”， 虽然初始缺陷少，但使用中会生长，laser和LED的寿命很低。奇怪的是，GaN 虽然缺陷密度是ZnSe的一百万倍，但使用中并不生长，缺陷不会穿过量子阱，影响量子阱的发光效率，这个是非常反直觉的， 物理造诣很深的人直接就毙掉这条路了。中村修二比较轴， 又有Nichia养着，锲而不舍的钻研，才有后来的成就。其实他一开始也是知其然而不知其所以然的。
好专业！学到新知识
dragonfly 写了： 11 5月 2025, 21:58GaN的defect density在 109/cm2 以上，而ZnSe在 103-104/cm2 左右，对搞材料的人来说，这么高的缺陷密度，理论上GaN laser或者LED几乎不可能实现， 所以很多实验室都把希望放在ZnSe based 的II-VI族半导体上，II-VI族是direct bandgap, 发光效率很高，缺陷又少， 用的基片是砷化镓便宜易得。但II-VI材料很“软”， 虽然初始缺陷少，但使用中会生长，laser和LED的寿命很低。奇怪的是，GaN 虽然缺陷密度是ZnSe的一百万倍，但使用中并不生长，缺陷不会穿过量子阱，影响量子阱的发光效率，这个是非常反直觉的， 物理造诣很深的人直接就毙掉这条路了。中村修二比较轴， 又有Nichia养着，锲而不舍的钻研，才有后来的成就。其实他一开始也是知其然而不知其所以然的。
这玩意儿不需要量子阱。本质就是相分离之后会有大量In rich的纳米颗粒，这些纳米颗粒内部的线缺陷是很少的。电子的平均自由程比这些纳米颗粒的尺寸小就可以了。
dragonfly 写了： 11 5月 2025, 21:58GaN的defect density在 109/cm2 以上，而ZnSe在 103-104/cm2 左右，对搞材料的人来说，这么高的缺陷密度，理论上GaN laser或者LED几乎不可能实现， 所以很多实验室都把希望放在ZnSe based 的II-VI族半导体上，II-VI族是direct bandgap, 发光效率很高，缺陷又少， 用的基片是砷化镓便宜易得。但II-VI材料很“软”， 虽然初始缺陷少，但使用中会生长，laser和LED的寿命很低。奇怪的是，GaN 虽然缺陷密度是ZnSe的一百万倍，但使用中并不生长，缺陷不会穿过量子阱，影响量子阱的发光效率，这个是非常反直觉的， 物理造诣很深的人直接就毙掉这条路了。中村修二比较轴， 又有Nichia养着，锲而不舍的钻研，才有后来的成就。其实他一开始也是知其然而不知其所以然的。
你说的是QD LED吧。中村修二的蓝光LED是quantum well LED的，现在GaN LED仍然都是QW发光。
cozofxx 写了： 10 6月 2025, 22:58这玩意儿不需要量子阱。本质就是相分离之后会有大量In rich的纳米颗粒，这些纳米颗粒内部的线缺陷是很少的。电子的平均自由程比这些纳米颗粒的尺寸小就可以了。
dragonfly 写了： 11 5月 2025, 21:58GaN的defect density在 109/cm2 以上，而ZnSe在 103-104/cm2 左右，对搞材料的人来说，这么高的缺陷密度，理论上GaN laser或者LED几乎不可能实现， 所以很多实验室都把希望放在ZnSe based 的II-VI族半导体上，II-VI族是direct bandgap, 发光效率很高，缺陷又少， 用的基片是砷化镓便宜易得。但II-VI材料很“软”， 虽然初始缺陷少，但使用中会生长，laser和LED的寿命很低。奇怪的是，GaN 虽然缺陷密度是ZnSe的一百万倍，但使用中并不生长，缺陷不会穿过量子阱，影响量子阱的发光效率，这个是非常反直觉的， 物理造诣很深的人直接就毙掉这条路了。中村修二比较轴， 又有Nichia养着，锲而不舍的钻研，才有后来的成就。其实他一开始也是知其然而不知其所以然的。