历史上两家公司在半导体技术上的交集与纠纷可以归纳为以下三个核心阶段：
- 从“技术引进”到“工厂复制”东芝是闪存（NAND Flash）技术的发明者，在20世纪80年代末到90年代初处于行业绝对领先地位。
当时，为了与英特尔（Intel）等美国巨头竞争，东芝于1992年向三星主动转移了部分NAND闪存开发技术。在这个过程中，三星采取了极具攻击性的学习策略（业内常称之为“反向工程”或全面模仿），甚至通过重金挖走东芝半导体工厂的生产部长和核心技术人员，在韩国“原样复制”了生产线。2. 爆发正式的专利侵权诉讼随着三星通过大规模资金投入和“逆周期投资”在产量和市场份额上全面反超日本企业，两家的矛盾在2004年走向了法律化。
2004年，东芝在美国和日本正式起诉三星电子，指控其DRAM和NAND闪存芯片侵犯了东芝的核心基本专利。起因： 两家公司自1993年起签有专利交叉许可协议（Cross-License Agreement）。
但协议到期后，三星在续约谈判中未能在专利费和授权范围上与东芝达成一致，东芝随之提起诉讼。
结果： 这一系列的诉讼最终以两家公司达成全面和解、重新签署长期的专利交叉许可协议而告终。
- 与另一家韩企（SK海力士）的泄密案混淆在中文互联网讨论“韩国抄袭东芝”时，经常会将三星与另一家韩国半导体巨头SK海力士（SK Hynix）混淆。2014年东芝技术泄密案： 真正涉及刑事犯罪和“偷窃机密”的案件发生在东芝与SK海力士之间。当时东芝的一名前日本工程师将东芝的NAND闪存核心技术数据不当提供给了SK海力士。东芝随后在东京法院起诉SK海力士并索赔11亿美元。该案于2014年底达成和解，SK海力士向东芝支付了巨额和解金。总结商业竞争中，三星早期的确通过高薪挖角、技术模仿等激进手段消化了东芝的技术成果，并在法律层面上因专利纠纷被东芝起诉过。但三星最终反超东芝并成为全球存储芯片老大，更多是由于其果断的逆周期巨额投资和日本企业自身在商业决策上的滞后。