是的，这一消息属实。三星电子因在400层以上的下一代 3D NAND 闪存（V10及后续版本）研发中，无法规避长江存储（YMTC）的核心技术围城，于 2025 年初正式向长江存储支付了数千万美元，达成了关于 晶栈®Xtacking® 混合键合（Hybrid Bonding） 底层架构的全球专利许可授权协议。
这一事件在半导体业内引发了巨大轰动，被普遍视为中国存储芯片技术从“跟随者”向“行业标准制定者”转变的里程碑。为什么巨头三星无法规避？维度传统 COP 架构（三星此前采用）Xtacking® 混合键合架构（长江存储独创）制造工艺外围电路与存储单元在同一片晶圆上制造并层层堆叠。将外围逻辑电路与存储单元在两片独立的晶圆上分别制造，再通过晶圆对晶圆（W2W）直接进行垂直键合。
物理极限堆叠层数超过 400 层时（如三星 V10 闪存），底层外围电路会因承受过大压力而影响整体可靠性与散热。完美分担底层电路物理压力，大幅消除传统凸点连接，缩短电路路径、提升散热与数据传输速度。专利壁垒技术走向死胡同，无法满足下一代超高层数闪存的量产要求。长江存储已在该领域布局了 100 多项核心专利，精准卡位底层基础架构、工艺活化及应力控制算法，巨头们发现所有替代方案都无法绕过其专利“围城”。带来的行业深远影响全球原厂的连锁反应： 继三星“交学费”之后，韩国另一大存储巨头 SK 海力士也被爆出正在与长江存储就下一代闪存的混合键合技术进行专利授权谈判。
市场份额与江湖地位的飙升： 凭借 Xtacking 架构的成本与性能优势，截止 2026 年第一季度，长江存储在全球 NAND 闪存市场的销售额与出货量已经超越日本铠侠，跻身全球前三。技术反向输出的标杆： 过去一向是中国半导体向美、日、韩企业购买授权；而此次长江存储在遭遇严重外部制裁的背景下，反向迫使全球老大三星付费购买专利，证明了真正的自主底层架构创新具备极高商业及法律话语权。